Измерение теплового сопротивления кристалл–корпус микросхем и полупроводниковых приборов с использованием тепловизора
Реализована методика измерения теплового сопротивления кристалл–корпус микросхем и полупроводниковых приборов, основанная на получении термограмм функционирующих кристаллов микросхем без крышки корпуса при стабилизированной температуре корпуса. Для двух исследованных образцов микросхем памяти 1658РУ1У получены значения теплового сопротивления 4.4 и 4.8 °С/Вт. Анализируются достоинства и недостатки данной методики.
Авторы: И. А. Мартынов
Направление: Физическая электроника и технологии микро- и наноструктур
Ключевые слова: Тепловое сопротивление, термограмма, тепловизор, ПИД-регулирование, микросхема памяти
Открыть полный текст статьи