Диагностика морфологии и электронного спектра pHEMT-гетероструктур
Методами электрохимического вольт-фарадного профилирования и атомно-силовой микроскопии исследовались полупроводниковые pHEMT-гетероструктуры на базе InGaAs/GaAs/AlGaAs. Определены профили концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры, плотность двумерного электронного газа в квантовой яме, а также качество поверхности выращенных эпитаксиальных слоев.
Авторы: Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Соломникова, Е. С. Кунашик
Направление: Физические явления в твердых телах, жидкостях и газах
Ключевые слова: Электрохимическое вольт-фарадное профилирование, ECV, атомно-силовая микроскопия, pHEMT, GaAs, InGaAs/GaAs/AlGaAs
Открыть полный текст статьи